SK hynix计划在今年量产375层3D NAND闪存 改用钼材料以突破工艺瓶颈 - 硬件 (opens in new tab)

据了解，SK hynix 内部最初将这一代产品定位为“400 层级” NAND，但在实际工艺开发过程中，由于在同一芯片内堆叠过多层数时遇到严重的工艺与信号传输难题，最终将设计修正为 375 层。 行业人士透露，原本规划中的 400 层级产品被调整为 375 层，而后续路线图则延伸至 480 层和 604 层等更高堆叠的产品节点。要继续向 480 层、604 层等更高堆叠迈进，单靠现有材料体系已经难以为继。 报道指出，SK hynix 需要在关键导电材料上进行重大调整，逐步放弃目前普遍采用的钨（Tungsten）薄膜，转而采用钼（Molybdenum）作为新的互连材料，以应对高层数堆叠带来的电阻与信号完整性挑战。在高层数 3D NAND 结构中，随着垂直方向导线和通道尺寸不断缩小，钨的电阻难以控制，信号传输损耗和延迟问题愈发突出，成为继续增加堆叠层数的“材料天花板”。 与之相比，钼在高电阻环境下具有更优的性能表现，能够在更窄的布线条件下保持较好的导通特性，因此被视为突破高层堆叠限制的关键材料之一。三星已经在其部分 NAND 工艺中率先导入钼材料，并计划在今年进一步优化其 V-NAN...