英特尔14A工艺良率在试生产前取得关键进展 (opens in new tab)

对英特尔而言，这一数据表明 14A 仍处于爬坡初期，但先前关于 14A 在相同开发进度上已经超越 18A 的说法得到了印证。 英特尔规划在 2027 年第一季度将该节点的缺陷密度进一步压低至 0.1–0.2 左右，并以此为节点，开始内部测试芯片流片和面向自家产品的小规模量产爬坡，随后在 2028 年进入风险试产阶段，并在 2029 年切入大规模量产。从中长期目标来看，如果英特尔能将 14A 的 D0 缺陷密度成功压缩至 0.1–0.2，那么对于面积在 100 平方毫米左右的芯片设计，其理论良率有望提升至 80%–90%，具体水平则取决于实际电路结构和版图实现方式。 报道指出，这一预测主要基于经典的 Poisson 良率模型，业界还存在多种不同的推算方法；此外，还必须区分“缺陷良率”和“参数良率”——前者关注芯片是否能够点亮并工作，后者则考量芯片能否在功耗、频率等各项指标上完全满足产品规格。 参数良率通常属于高度敏感的内部数据，外界很难获得关于 14A 在这方面的详细信息。在产线装备和工艺能力上，英特尔与 ASML 的合作已完成 14A 节点对应的 High-NA EUV 光刻机在...