高通发布新一代旗舰级 XR 芯片 Snapdragon Reality Elite (opens in new tab)

在影像与功耗方面，高通表示 Snapdragon Reality Elite 可带来更高质量、更低延迟的摄像头透视体验。 相较 XR2+ Gen 2，新芯片在“光子到光子”链路上的延迟进一步降低 10%，在相同工作负载下功耗降低约 33%，并集成更先进的图像噪点抑制算法。 同时，整体系统功耗优化也使其在相同负载下续航时间延长约 20%，在满载时芯片温度最高可降低约 12 摄氏度，这被认为是使其适合放在用户口袋中使用的关键因素之一。存储与连接方面，Snapdragon Reality Elite 支持更高速的 UFS 4.0 存储以及最高 4.2 GHz 的内存频率，相比上一代的 3.2 GHz 有明显提升。 接口配置上，芯片原生支持最多 2 个 USB 3.1 接口，并首次集成对蓝牙 6.0 的支持，为 XR 设备连接外设和无线配件提供更高带宽和更低延迟的基础。高通认为，NPU 性能的跃升将为“全新一代本地生成式 AI 体验”提供算力基础，从逼真的数字化身到本地运行的大语言模型代理，以及快速的实时 3D 对象生成等应用。 官方举例称，一款拥有 30 亿参数的大语言模型可在 NPU...