闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈 (opens in new tab)

IT之家 6 月 22 日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。IT之家注意到，人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。过去，芯片厂商只需推出全新存储技术就能满足需求，彼时 DRAM 是核心存储器件。但如今研发成本攀升、工艺良率存在短板、芯片功耗持续走高，行业不得不转向其他可行技术方案。高带宽内存（HBM）此前一直稳步迭代，可受产能短缺影响，其自身也迅速演变为新的性能瓶颈。HBM 还存在其他短板，单堆叠容量偏低。尽管各代 DRAM 厂商持续提升 HBM 的带宽与单堆容量，产能供给始终跟不上市场需求。同时 HBM 仅能放置在主芯片侧边，芯片间数据传输存在显著延迟损耗。再看 NAND 闪存，它单位存储成本更低、单盘容量更大，但存储介质距离主计算芯片更远，数据传输速度更慢，始终无法达到 DRAM（HBM）同级别的读写带宽。为破解上述难题，闪存厂商闪迪此前公布了自家高带宽闪存（HBF）技术方案。据悉 HBF 采用与 HBM 相似的分层架构：将...